市场调研机构TrendForce集邦咨询最新报告显示,随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源,功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元,至2030年有望上升至43.76亿美元,CAGR(复合年增长率)高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%,汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。>
> >市场调研机构TrendForce集邦咨询最新报告显示,随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源,功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元,至2030年有望上升至43.76亿美元,CAGR(复合年增长率)高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%,汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。>
> >6月27日,斯达半导体股份有限公司(以下简称“斯达半导”)发布公告称,拟面向不特定对象发行总额不超过人民币15亿元的可转换公司债券(以下简称“可转债”)。本轮融资将聚焦车规级碳化硅(SiC)MOSFET模块、GaN模块及智能功率模块(IPM)三大方向,同时补充公司流动资金,进一步提升公司在新能源汽车...
前不久,笔者针对“GaN上车”的专题梳理了GaN的上车进展以及产业链整合近况。(点击回顾“GaN,等「车」来”)其中我们也提到,现阶段的GaN市场,一方面是收购整合,一方面是破产出售,无不映射出该市场“野蛮生长”与“混沌开局”的现状。因此,出于技术整合与创新、市场扩张、产品线丰富等战略布局方面的考虑...
如今,开发电子电力器件的难度不断飙升,如何在满足绿色低碳和和持续发展的要求下既不断提升效率和功率性能,同时又不断降低成本和缩减尺寸呢?我们发现,氮化镓(GaN)是一种新型宽带隙化合物,为功率转换解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中...
当地时间3月2日,德国芯片制造商英飞凌与加拿大氮化镓系统公司(GaNSystems)宣布,双方已签署最终协议,英飞凌将以8.3亿美元全现金收购氮化镓系统公司,收购资金来自现有的流动资金,交易还需监管部门的批准。氮化镓系统公司开发以氮化镓为基础的功率元件。对于这次收购,英飞凌首席执行官JochenHa...
10月11日,GaNSystems官网宣布,他们的100V增强模式GaN-on-silicon功率晶体管,已经成功为瑞萨电子的新型汽车48V/12V双向DC/DC转换器供电。报道称,瑞萨电子的解决方案主要针对需要高效48V/12VDC/DC转换器的48V轻度混合动力汽车和电动摩托车,与使用Si-MO...
6月21日,GaN-on-SiC外延片制造商SweGaNAB联合瑞典查尔姆斯理工大学(Chalmers)展示最新的高压GaN技术成果。根据他们发表在《ElectronDeviceLetters》上的技术文献,这款新型“无缓冲”GaN-on-SiCMIS-HEMT是基于ChalmersMIS-HEMT...
天眼查信息显示,华润微电子于5月20日收购第三代半导体厂商大连芯冠科技有限公司34.5625%股份,同时后者更名为润新微电子(大连)有限公司,法人变更为华润微电子执行董事、总裁李虹。大连和升控股集团有限公司是芯冠此前最大的股东,持股比例从44.6444%降至31.3045%。康佳集团子公司康芯威半导...
据外媒报道,博世在采用一家GaN初创公司的外延技术开发垂直氮化镓器件。据悉,这项技术的关键在于纳米线技术,可以采用硅衬底,可以将缺陷密度降低90%,因此能够以更低的成本打造1200V的GaN功率器件。据悉,他们已经获得了超过200万元的订单,未来还将扩展到8吋线。降低90%缺陷密度开发低成本垂直Ga...
~EcoGaN™第一波产品“GNE10xxTB系列”将有助于基站和数据中心等应用实现更低功耗和小型化~全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaNHEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达...
据韩媒报道,DBHiTek将在明年第一季度开发基于下一代半导体材料的功率半导体。这是其首次进军功率半导体业务。据称,DBHiTek正在开发基于SiC的6-8英寸功率半导体,目标是明年第一季度推出。在推出SiC功率半导体的同时,东部高科还爱同时推进GaN基功率半导体业务。与硅(Si)半导体相比,碳化硅...
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