前不久，笔者针对“GaN上车”的专题梳理了GaN的上车进展以及产业链整合近况。（点击回顾“GaN，等「车」来”）
其中我们也提到，现阶段的GaN市场，一方面是收购整合，一方面是破产出售，无不映射出该市场“野蛮生长”与“混沌开局”的现状。
因此，出于技术整合与创新、市场扩张、产品线丰富等战略布局方面的考虑，不少企业通过收购的方式，以加强自身在氮化镓方面的竞争力。
近日，Power Integrations 已达成协议，将收购垂直氮化镓 (GaN) 晶体管技术开发商 Odyssey 的资产。
据悉，这项交易预计将于 2024 年 7 月完成，之后Odyssey 的所有关键员工将加入 Power Integrations 的技术组织。
早在今年3月消息，Odyssey就在官网宣布，他们已与客户签署最终协议，将以 952 万美元（约合人民币0.67亿）现金，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，当时称买家信息处于保密状态。
据透露，此次收购为 Power Integrations 正在进行的 PowiGaN 专有技术开发路线图提供了支持，Power Integrations 的许多产品系列都采用了该技术，包括 InnoSwitch IC、HiperPFS-5 功率因数校正 IC 以及最近推出的 InnoMux-2 系列单级、多输出 IC。
■ Power Integrations 开发了其专有的 PowiGaN 技术
Power Integrations于 2023 年推出了 900 V和 1250 V版本的 PowiGaN 技术和产品。
值得注意的是，Power Integrations推出的1250V氮化镓平台，特别是InnoSwitch™3-EP 1250V IC，成为全球电源领域的关键创举，使得Power Integrations在高压氮化镓技术方面的地位进一步加强。
该IC采用了Power Integrations专有的1250V PowiGaN™技术，实现了高达93%的功率变换效率，进而有助于实现高紧凑度的反激式电源设计，可实现高达85W输出功率且无需散热片。
Power Integrations技术副总裁Radu Barsan博士表示，他们正在推进一个GaN路线图，其中包括推动实现与硅MOSFET的成本持平，并扩大PowiGaN的电压和功率能力。
与此同时，他们的目标是将经济高效的大电流和高电压 GaN 技术商业化，以支持目前由碳化硅（SiC）提供的更高功率应用，同时凭借氮化镓相对于碳化硅的基本材料优势，实现更低的成本和更高的性能。Odyssey 团队在大电流垂直氮化镓方面的经验将加速这一进程。
■ Odyssey的产品进展
Odyssey 公司总部位于纽约州伊萨卡市，拥有并经营着一个占地 10,000 平方英尺的半导体晶圆制造厂，厂内配备了 1,000 级和 10,000 级洁净空间以及先进的半导体开发和生产工具。Odyssey 还提供世界一流的半导体器件开发和代工服务。
业绩方面，Odyssey在2023年实现营收29.19万美元，净利润则亏损447万美元。
产品突破方面，2022年9月，Odyssey 宣布已实现垂直 GaN 功率场效应晶体管 (FET) 额定电压达到 1200 V的既定目标，并于2022 年第四季度完成 650 V和 1200 V垂直 GaN 样品制造。经过验证的 650 V和 1200 V功率器件的品质因数将提供业界领先的效率，在高开关频率下具有极低的导通电阻，从而缩小解决方案尺寸。
2023年1月，Odyssey 宣布产品样品制作已完成，将于 2023 年第一季度开始向客户发货；2023年4月，Odyssey 宣布成功向主要客户交付垂直 GaN 产品样品，当时消息，Odyssey 仍有望在 2023 年第二季度末与客户签署产品开发协议。
与碳化硅或横向 GaN 相比，Odyssey 的垂直 GaN 方法将提供比硅更大的商业优势。与SiC相比，垂直氮化镓具有 10 倍的优势，其性能和成本水平是其他竞争技术无法企及的。
据了解，650 V细分市场是目前较大的市场，预计将继续增长；1200 V产品细分市场预计将增长更快，并将在本十年后半期成为更大的市场。根据 Yole Group 的数据，650 V和 1200 V功率器件市场预计到 2027 年将超过 50 亿美元，复合年增长率为 40%。
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