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东部高科进军功率半导体:押注SiC和GaN

据韩媒报道,DB HiTek 将在明年第一季度开发基于下一代半导体材料的功率半导体。这是其首次进军功率半导体业务。据称,DB HiTek 正在开发基于 SiC 的 6-8 英寸功率半导体,目标是明年第一季度推出。在推出SiC功率半导体的同时,东部高科还爱同时推进GaN基功率半导体业务。

与硅 (Si) 半导体相比,碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 基功率半导体具有更快的功率转换效率和卓越的耐用性。

DB HiTek是一家代工公司,为全球无晶圆厂客户设计的微控制器单元(MCU)、显示驱动芯片(DDI)和图像传感器(CIS)等半导体。特别是主要生产Si DDI、MCU、CIS。

他们想进入功率半导体市场,与全球的电动汽车、5G移动通信和人工智能(AI)对相关设备的需求显著增加有重要的关系。众所周知,现在Wolfspeed、安森美半导体、Twosix 和 SK Siltron 正在制造 6 英寸 SiC 功率半导体或扩展到 8 英寸,以满足电动汽车和 5G 的需求。

DB HiTek 通过最大化现有忠北工厂的场地来应对其生产能力。预计将利用Si半导体设备或增加一些新的SiC半导体设备。DB HiTek 计划借此机会实现向综合性系统半导体公司的目标发展。

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