NE时代

在新能源汽车向高输出功率、快速充电、长续航升级的浪潮中，SiC功率器件凭借优异的耐高压、低损耗、高效率特性成为突破性能瓶颈的核心载体。

中恒微推出的Drive Z3 封装 SiC 模块新品，创新性融合DTS（Die Top System）技术，通过铜箔预涂银层设计，有效解决铜线键合对芯片的损伤问题，同时均匀分散热量降低局部峰值温度。搭配纳米银烧结与直接液冷工艺，模块实现 1200V 高耐压与低开关损耗，热导率与可靠性显著提升。产品精准适配 800V 高压平台，为电驱系统效率优化与整车续航提升提供关键解决方案。

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产品型号

产品型号：6H002E120T2PA2

拓扑结构：SixPack

电压：1200V

电阻：1.65mΩ

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产品特点

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低导通电阻

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低开关损耗

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低杂散电感设计

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纳米银烧结

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铜线超声波键合技术

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铜端子超声波焊接技术

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第三代SiC平面栅MOSFET

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DTS（Die Top System）技术

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Direct-cooling(直接液冷散热）

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应用优势

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高可靠性

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高转换效率

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降低系统体积

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通过AQG324可靠性标准

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400V架构有效输出电流超过700Arms

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800V架构有效输出电流超过650Arms

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应用领域

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新能源商用车

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新能源乘用车