伴随着SiC和GaN等第三代宽禁带半导体在新能源汽车、AI、低空经济、通信和消费电子等领域的规模化应用已形成示范效应，国产化芯片及封装工艺制程的快速发展，SiC、GaN 与迭代嵌入式PCB封装技术的融合也必将重塑功率电子的性能边界，新能源汽车与工业自动化有望成为主要增长极，而政策支持与产业链协同将进一步加速技术产业化进程。
传统注塑封装模块，已经进入成熟量产阶段，PCB嵌入式封装功率模块行业，正处于技术爆发期与市场落地的交汇点，亦将孵化出一批新兴企业主导新一轮产业变革。预计到 2030 年，中国将成为全球嵌入式功率模块的研发与制造中心，推动全球功率电子产业向高效化、绿色化演进。
参考上图某欧洲外企定义的嵌入式PCB功率模块三代技术迭代方向，经过两年多的技术积累，结合OEM客户具体项目，上海诚帜公司于2025年8月15日，率先推出业内首款第三代AMB绝缘的SiC嵌入式功率模块-CZ1260。
诚帜CZ1260型嵌入式功率模块采用了定制国产镀铜SiC芯片，6并联方案，耐压1200V；应用第三代嵌入式封装技术，具备成本低、交付周期短、寄生电感低、封装密度高、系统应用友好等特性。
诚帜CZ1260型嵌入式功率模块主要由接插件、Sunbber电容、电阻、嵌入式功率模块、Heatsink等部件构成。
诚帜CZ1260型嵌入式功率模块整体结构分为：耐高温绝缘材料、厚铜连接线路、SiC镀铜芯片、AMB顶层覆铜、AMB 陶瓷 SiN、AMB底层覆铜，通过特殊的制程工艺，将功率芯片组件直接嵌入到PCB板间，实现器件与PCB的一体化。
诚帜CZ1260型嵌入式功率模块经测试台架实测，相较于行业标准DCM塑封功率模块，在电气性能方面具备非常明显的优势。相同场景，采用诚帜嵌入式模块，电控系统CLTC效率提升0.5%以上，配合逆变砖的应用，电控系统功率密度150KW/L以上。
如此优异的系统性能，核心原因是诚帜嵌入式功率模块在系统ESL上降低了一个数量级，从传统塑封功率模块的15~25nH降低到1~2nH，由于极低的ESL可以将开关速度提升到30~50A/ns，开关损耗降低70%以上。采用AMB的绝缘技术，热阻和传统塑封模块相当，单位芯片的电流能力提升了30%~40%；或在相同电流能力下，芯片面积可减少30%~40%；从而给用户带来优秀的降本增效收益。
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