浙江晶瑞SuperSiC实现12英寸碳化硅TTV≤1μm技术里程碑

晶盛电机更新于: 2026-01-13 13:52:25

近日，依托自主搭建的12英寸中试线，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”）成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键技术突破。这是继建成行业首条12英寸碳化硅中试线后，晶盛机电研发中心与浙江晶瑞SuperSiC联手取得的又一重大成果，充分彰显了晶盛机电“装备+材料”协同创新的核心优势。

■ 12寸碳化硅衬底实现厚度均匀性（TTV）≤1μm

碳化硅作为第三代半导体的核心材料，正从成熟的6英寸、8英寸晶片向12英寸拓展。随着AI/AR眼镜等光学应用及先进封装需求的兴起，12英寸碳化硅凭借更小的边角损失、更高的出片率和优异的产线兼容性，成为行业竞争焦点。尤其在AR领域，碳化硅的高折射率、高热导系数、低吸收率等特性，已成为光波导镜片的理想选择。自从2024年行业内推出首款AR眼镜，其搭载的碳化硅镜片结合衍射光波导与全彩Micro-LED光机，不仅优化了光学效率，更实现70°大视场角，迅速引发行业震动，国内相关企业也加速跟进布局。

然而，12英寸碳化硅的技术挑战同样显著：受后道光刻工艺高精密度制约，12英寸光学碳化硅对TTV和LTV提出严苛要求；在先进封装中介层领域，除散热性能外，中介层需与芯片、基板精准键合，这要求12英寸碳化硅的TTV和LTV控制达到1μm级。但由于碳化硅莫氏硬度高达9.5，接近钻石，相应的精密加工设备与工艺长期面临瓶颈，成为制约产业突破的关键。

晶盛机电凭借在12英寸硅片、蓝宝石领域的深厚技术积累，助力浙江晶瑞SuperSiC搭建起覆盖晶体加工、激光切割、减薄、抛光、清洗、检测的全流程12英寸碳化硅中试线，更实现产线加工、检测设备100%国产化。针对12英寸碳化硅TTV控制的行业痛点，双方研发与工艺团队从减薄设备刚性、研磨和抛光盘形控制、减薄-研磨-抛光工艺对面形影响等多个维度协同攻关，最终达成TTV≤1μm的关键突破。