NE时代

为期三天的NEPCON JAPAN 2026于1月23日在东京Big Sight圆满落下帷幕。中恒微半导体作为中国功率器件中坚力量，携SiC晶圆、全系列核心功率器件及先进封装工艺精彩亮相，与全球行业伙伴深度交流，充分展现了在功率半导体领域的全产业链布局与技术实力，进一步夯实海外市场布局。

聚焦前沿：共话半导体新未来

NEPCON JAPAN是拥有四十年历史的行业标杆展会，作为电子研发、制造与封装技术领域的亚洲顶级盛会，本次展会汇聚了全球约1850家参展商，成为行业前沿技术与商业合作的重要交流平台。展会同期开设包括“功率器件与模块展”在内的七大专业子展及百余场技术论坛，聚焦第三代半导体、高效封装等前沿方向，为全球电子产业从业者搭建了技术交流、商贸合作的高端平台。

此次参展，中恒微吸引了来自日本、欧美等地区的众多行业客户、合作伙伴及技术专家驻足参观咨询。团队成员凭借专业的产品讲解与细致的技术答疑，与现场客户深入探讨了产品在新能源汽车、工业变频、光伏储能等领域的应用需求与解决方案，为拓展海外市场渠道奠定了坚实基础。

全系列功率器件：覆盖多元应用场景

作为本次参展的核心亮点，中恒微半导体重点展示了SiC晶圆、SiC系列功率器件、IGBT系列功率器件及RC-IGBT功率模块等产品，全面展示了公司在功率半导体领域的技术积淀与研发实力。

SiC系列功率器件

SiC系列功率器件（含SiC MOSFET、SiC SBD），电压等级涵盖1200V/1700V/2000V，电阻等级涵盖1.6mΩ~40mΩ，凭借碳化硅材料宽禁带、高击穿电场的特性，实现低损耗、高频率、高可靠性工作模式，可有效助力应用客户小型化、高效化升级。同时搭配纳米银烧结、铜线键合、端子超声波焊接等先进封装工艺，显著提升产品的转换效率与可靠性。为800V高压平台、AI服务器、数据中心、大功率储能等高端领域应用提供全方位的碳化硅解决方案。

IGBT系列功率器件

IGBT全系列功率器件，产品型号丰富，电压等级覆盖650V~1700V，电流等级覆盖 15A~1000A。采用第七代IGBT芯片和近七代IGBT芯片的同时，结合领先的封装制造工艺，产品兼具低开关损耗、低饱和压降、低杂散电感、高电流密度等特性。满足工业控制、新能源、汽车等领域不同功率等级的应用需求。

RC-IGBT功率模块

RC-IGBT功率模块更是融合了IGBT与FRD的结构优势，简化了电路设计，提升了系统集成度，为新能源汽车电控等场景提供了高效紧凑的解决方案，获得现场客户的高度关注。

先进封装工艺：筑牢产品可靠性根基

封装工艺方面，公司重点展示了纳米银烧结与铜线键合两大核心封装技术。中恒微的纳米银烧结工艺，通过低温烧结形成高致密连接层，相较于传统锡焊工艺，导热率提升3倍以上，热阻降低60%-70%，同时抗热疲劳性能优异，使模块可靠性寿命提升5-10倍，且完全无铅，符合RoHS环保要求。

中恒微无压纳米银烧结模块贴装及X-RAY示意图

同期展示的铜线键合工艺是通过先进的铜线互联技术提升了SiC模块的过流能力与散热性能，有效降低芯片温升，进一步优化了模块的高频开关性能与长期工作稳定性，为产品在高功率、高负荷场景下的可靠运行提供了核心保障。这种从芯片设计到模块先进封装的全链条自主可控能力，成为吸引海外客户的核心竞争力，展会现场宾客盈门、各方同仁络绎不绝。

采用银烧结技术辅助，以满足铜线键合技术（12mil-20mil）

采用芯片表面铜化技术，以满足铜线键合技术(12mil-15mil)

此次参展NEPCON JAPAN 2026，是中恒微加深海外市场运营的重要举措。自成立之初，公司便积极布局海外市场，目前产品已成功销往欧洲、日本、中东等多个国家和地区，获得了海外客户的广泛认可。本次展会的圆满落幕，不仅让全球行业伙伴更直观地了解了中恒微的技术实力与产品优势，也搭建了与海外行业伙伴深度合作的桥梁。

时间为尺，久久为功。未来，中恒微半导体将继续深耕功率半导体领域，不断提升全产业链核心竞争力，不断迭代核心技术与产品矩阵，深化海外市场渠道建设，以更优质的产品与服务赋能全球客户，助力全球功率半导体产业的高质量蓬勃发展。