6月21日，GaN-on-SiC 外延片制造商 SweGaN AB 联合瑞典查尔姆斯理工大学（Chalmers）展示最新的高压 GaN 技术成果。
根据他们发表在《Electron Device Letters》上的技术文献，这款新型“无缓冲” GaN-on-SiC MIS-HEMT 是基于Chalmers MIS-HEMT技术和SweGaN QuanFINE® 无缓冲外延片共同实现的。
众所周知，受 GaN 材料质量和低击穿硅衬底的限制，市场上可用的 GaN 功率器件的额定电压大多为 650V 。但是，QuanFINE® 外延片制造的GaN 功率器件，可以在高电压操作下实现极低的栅极和极低的漏极泄露电流，而且其总外延层厚度大约比商用 GaN-on-Si 外延片 薄20倍 。
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此外，这款MIS-HEMT的特定导通电阻为3.61 mΩ*cm 2 ，截止状态击穿电压超过1600V，垂直击穿电压 超过3000V 。
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这些实验成果证明了QuanFINE® 外延解决方案在高压 GaN 功率器件中的巨大潜力，产品可应用于对器件的 性能 和 可靠性 都有严格要求的领域，例如车载充电器和电动汽车功率逆变器。
SweGaN 首席技术官 Jr-Tai Chen 博士表示，预计这项新成果在电动汽车时代将会有越来越多的机会；目前他们正在与早期采用 GaN 功率器件的公司进行讨论，以推出能够发挥 GaN 真正优势的 高压电源 解决方案。
沪公网安备31010702008139