印度在半导体供应链方面接近日本，减轻对华依赖

日经BP更新于: 2025-10-27 09:55:20

日本和印度正在半导体领域在迅速接近。印度总理莫迪于2025年8月29日在日本与时任首相石破茂（9月7日宣布辞职）举行会谈，启动了确保半导体等重要物资的框架《日印经济安全保障倡议》。力争构建不依赖中国的半导体供应链。瑞萨电子和Tokyo Electron等日本半导体相关企业也将正全面进驻印度市场。

促进10万亿日元规模的投资

该倡议将半导体、重要矿物、医药品、清洁能源和信息通信五个领域定为重点领域，推动日印企业的联合投资等。其中，将半导体放在首位，在设备、材料和半导体产品的供应链构建、研发与人才培养等方面进行合作。

两位领导人在会谈后的第二天8月30日视察了Tokyo Electron子公司Tokyo Electron宫城公司（宫城县大和町）。参观了该公司预定向印度供应的半导体制造设备等，彰显了双方在半导体领域的合作。日本政府今后将推动日本企业在印度投资约10万亿日元。

去中国化姿态明显

印度在机械和零部件进口方面对中国的依赖度很大，印度政府有意构建不依赖中国的供应链。此外，吸引日本企业还有助于创造就业。印度今后有望成为半导体和电子设备制造的一大基地，对日本来说，投资将为进驻印度铺平道路。

莫迪总理自2014年就任以来，提出了制造业振兴政策“印度制造（Make in India）”。其核心之一是半导体的自产化（图1）。调查公司Global Information预测称，印度半导体产业的市场规模到2029年将达到约829亿美元，扩大至目前的约2倍。美国苹果公司（Apple）将智能手机iPhone的组装从中国转移到印度，随着设备生产的扩大，半导体的本地生产需求预计也会提高。

图1印度总理莫迪在2025年9月2~4日的“印度半导体展览会（SEMICON India）”上再次表达了半导体自产化的意愿（照片来源：印度政府）

瑞萨出资的OSAT启动

瑞萨、富士胶片、Tokyo Electron和迪思科等已经正式进驻印度市场（图2）。瑞萨社长兼首席执行官（CEO）柴田英利在2024年5月的战略说明会上表示，印度的销售额到2030年将提高至全公司销售额的10~15%。该公司的印度分支机构的员工人数截至2024年5月为300余人，2025年内将增至1000人左右。

图2日本半导体相关企业相继进入印度市场（来源：日经XTECH）

关于瑞萨的印度业务，2025年8月28日，当地财团Murugappa Group旗下的CG Power and Industrial Solutions的子公司宣布在印度西部古吉拉特邦建立OSAT（外包半导体封装和测试）工厂。瑞萨对该公司进行了少量投资。

包括印度政府和邦政府的支援在内，CG Power and Industrial Solutions子公司等将在5年内投入8.7亿美元，在两座OSAT工厂进行量产。第一工厂将于2026年投产，满负荷生产时每天可生产约50万个半导体产品。

第二工厂正在距离第一工厂3公里的地点建设，计划2026年竣工。满负荷生产时的产能预计为每天约1450万个。

瑞萨还于2025年5月与印度政府的电子和信息技术部下属的研究机构展开了合作。瑞萨将向印度的新兴企业和教育机构提供印刷电路板设计用软件等。目的是培养该公司半导体和软件的用户。

富士胶片提供半导体材料

富士胶片于2025年5月宣布与印度大型财团Tata Group（塔塔集团）旗下的Tata Electronics（塔塔电子）展开合作。塔塔正在古吉拉特邦建设半导体前工序工厂，在印度东北部阿萨姆邦建设后工序工厂。有分析认为，为了向这些工厂提供广泛的半导体材料，富士胶片还将在印度建设材料工厂。

与在印度经济界具有巨大影响力的塔塔合作的日本企业很多，Tokyo Electron于2024年9月在半导体领域的人才培养等方面与该公司展开合作。目标是向塔塔正在建设的半导体工厂提供设备和维护服务。

Tokyo Electron建立设备设计基地

Tokyo Electron于2025年9月5日宣布，在印度南部卡纳塔克邦班加罗尔设立了设备设计和软件开发基地。还将通过该基地与印度的大学和研究机构共同推进新一代半导体的关键技术的研究。

2025年9月2~4日，半导体制造设备和材料的国际展会“SEMICON India”在印度首都新德里举行，印度总理莫迪也到场参加（图3）。Tokyo Electron、旗下拥有日本通运的NIPPON EXPRESS HOLDINGS（NXHD）等33个国家和地区的350多家企业参展。

图3印度也致力于吸引海外的半导体企业（照片来源：印度政府）

在国际学会上发布新一代DRAM

在比拼半导体技术的国际学会上，印度的大学和研究机构发表的论文也在逐渐增加。2025年9月15~18日在横滨市召开的半导体设备技术的国际学会“SSDM 2025”上，印度的论文通过演讲和海报发表。

其中著名理工大学Indian Institute of Technology（印度理工学院）的论文尤为引人注目。该大学鲁尔基分校将针对使用全环绕栅极（GAA）结构的晶体管的3D（三维）DRAM发表论文。该大学印多尔分校针对不需要电容器的DRAM和氧化物半导体发表论文，而坎普尔分校则针对使用HEMT（高电子迁移率晶体管）和光纤的传感器发表论文。