日本罗姆将在定位为全公司增长引擎的碳化硅（SiC）功率半导体方面，加快技术世代的升级速度。为了不输给中国企业，该公司将同时开发多个技术代际，把过去为3~4年的升级间隔缩短至2年以内。由于半导体行情恶化，2024财年（截至2025年3月）时隔12年出现最终亏损，罗姆将在等待行情复苏的同时，通过与东芝的合作寻求出路。
主管功率半导体业务的罗姆取缔役常务执行董事、功率元器件业务负责人伊野和英承认，“中国企业的开发速度非常快”。该公司于2024年公布了一项计划，将开发改为双团队体制，同时开发多代产品，将以3~4年为周期的SiC功率半导体的升级换代缩短为2年。将进一步加快这一速度，力争在不到2年的时间内实现升级换代。
加快升级换代，降低成本（来源：日经XTECH）
增强竞争力，等待需求复苏
首先将在2025年内使被称为第5代的最新碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）实现产品化。与第4代产品相比，在175度温度下工作时的电阻值降低了30%。通过减小导通电阻，相同功率的碳化硅MOSFET工作所需的芯片面积减小。通过SiC基板制取芯片的数量增加，可以降低成本。
技术每升级一代，导通电阻就会减少30%（出处：日经XTECH根据罗姆的资料制作）
罗姆计划从第5代开始生产口径8英寸（约200毫米）的SiC基板。这种大口径化也降低了成本。截至第4代产品，罗姆一直使用的是6英寸（150mm）SiC基板。
之后的第6代产品的生产计划从2027年启动。罗姆将同时推进第7代、第8代的开发，将技术世代的升级速度加快至2年以内。通过技术世代的升级和基板的大口径化，正面对抗中国企业的价格攻势。
目前，除了中国之外，作为SiC功率半导体的杀手级应用的纯电动汽车（EV）市场正在冷却。不过，罗姆认为需求低迷是暂时的。在调整当前的设备投资和生产计划的同时，不会放松面向复苏期的开发。伊野表示，虽然目前市场形势严峻，但“车载用对SiC设备来说仍然是应当重视的市场”。
在SiC功率半导体的用途方面，面向纯电动汽车（BEV）的牵引逆变器占7～8成。其中罗姆的SiC功率半导体按数量计算的市场份额不到20%。预计今后在插电式混合动力车（PHEV）上，SiC的应用也将增加。PHEV一直被认为与BEV相比，更换硅（Si）功率半导体的好处不大。
与东芝和电装合作
罗姆将通过与其他公司合作寻求出路。将与东芝旗下的Toshiba Devices & Storage开展合作。罗姆将重点投资SiC功率半导体，Toshiba Devices & Storage将重点投资Si功率半导体，互相运用对方的产能。设备投资中的一部分也将接受日本政府的支援。
罗姆从2025年5月开始在旗下的LAPIS Semiconductor的宫崎第二工厂（宫崎县国富町）试制供应东芝的SiC功率半导体。另一方面，东芝将在加贺东芝电子（石川县能美市）为罗姆制造硅制IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
在两家公司的合作谈判中，罗姆方面最初考虑了包括技术开发、销售和采购等在内的合作及资本合作的可能性。但在行情和竞争环境变化的背景下，似乎未能按照预期去扩大合作范围。
罗姆于2025年5月宣布，将在半导体领域与电装建立战略合作伙伴关系。首先把模拟半导体作为合作的主要对象。电装也致力于研发包括SiC在内的功率半导体，有可能将合作关系扩展到功率半导体领域。还将讨论强化资本关系。
与英伟达在数据中心领域展开合作
在用途开拓方面，将加强提供面向AI（人工智能）数据中心的服务器的产品。除SiC之外，还可一条龙提供氮化镓（GaN）造和Si造功率半导体。
今后，将深化与大型云运营商（超大规模用户）和电源企业的合作。罗姆已宣布与美国英伟达（NVIDIA）展开合作，联合开发直流800V供电的架构。
数据中心的电源市场预计将迎来快速增长，据罗姆预测，三年后市场规模将扩大到现在的近4倍。尤其是高压直流（HVDC）输电的需求预计将增加。除了SiC外，罗姆还将根据客户的要求提供GaN及Si功率半导体。
抓住混动车需求
伊野表示，从中长期来看，SiC市场将保持增长（摄影：太田未来子）
人员：SiC功率半导体市场形势严峻。
伊野和英：从短期来看，SiC市场确实处于严峻的停滞期。2024财年全球BEV销量仅比上年增长10%左右，低于预期。
不过，这并不意味着电动化浪潮已经停止。尽管电动化进程比预期放缓，但BEV和PHEV对SiC的需求依然存在。从中长期来看，SiC市场仍有望增长。
人员：您如何看待中国企业在SiC领域的实力？
伊野和英：SiC基板厂商的技术实力已显著提升。中国产SiC基板将在全球市场中份额扩大。不过，就SiC元器件而言，目前仍给人一种停留在中国市场内竞争的印象。可能还落后约一代。
为在研发竞争中占据优势，我们正加速SiC芯片的世代迭代。采用两支团队并行，多代产品同步开发。每个团队拥有各自的基础技术，并将其应用于多个世代的产品开发中，以便能够通过部分更新来完成。
我们计划到2027年推出第6代SiC MOSFET，同时也已着手开发第7代、第8代芯片。不过，中国企业的开发速度非常快，因此我们必须进一步加快迭代速度才能与之抗衡。原来每四年更新一代，现在将更新间隔缩短为两年，并计划进一步缩短。
人员：中国企业的优势在于强大的价格竞争力。
伊野和英：中国产SiC基板的价格确实有所下降，但依然比Si基板高很多。以目前的价格水平来看，（在元器件领域的竞争中）尚未构成实质性威胁。
另一方面，就元器件而言，SiC相较于Si仍有很大的改进空间。加快世迭代有助于降低成本。技术每更迭一代，驱动相同额定功率电机所需的SiC MOSFET芯片面积就可减小16%左右。同时，我们也在推进元器件制造使用的SiC基板的8英寸化。
人员：贵公司对SiC的设备投资采取什么样的方针？
伊野和英：由于此前已进行了大规模投资，近期暂无追加投资的计划。当前市场形势严峻主要是因为各企业集中投资期与EV需求下滑期重叠所致。我们希望首先等待市场的恢复。
人员：在氮化镓（GaN）方面，合作伙伴台积电（TSMC）将于2027年退出代工业务。
伊野和英：我们一直委托台积电生产耐压 650V的氮化镓（GaN）元器件。因此会对我们有影响。目前我们正在考虑生产转移的接收方。尚未确定是委托其他代工厂生产，还是转为自主生产，但我们会全力确保氮化镓（GaN）的稳定供应，避免交货延迟。
人员：作为功率半导体的新应用，您关注哪些领域？
伊野和英：预计AI服务器领域将实现快速增长。传统数据中心采用400V交流电源配电，而从2024年左右开始，已逐步向高压直流（HVDC）电源转型。数据中心的电源需要大量功率半导体，SiC也会进入，但主要市场应该是GaN和Si。
伊野和英
罗姆取缔役常务执行董事、功率元器件业务负责人
1999年4月加入罗姆。2019年9月任执行董事功率元器件生产本部长。2020~2021年任取缔役高级执行董事首席战略官（CSO）。2023年4月任取缔役常务执行董事首席财务官（CFO）。2024年4月起担任现职。
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