01.
芯驰携手IAR赋能臻驱科技
近日，意臻驱科技携手芯驰与IAR，通过国产高端车规级MCU与完整工具链的协同优势，共同推动新能源汽车双电机控制领域的国产化应用。
随着国产高端车规级MCU的崛起，臻驱科技经过全面评估之后选择了芯驰的E3，亟需一款适配芯驰E3车规级MCU的高性能工具链，以支持平台迁移。国内严苛的“上车时间窗口”对工具链的性能、适配性和本地化服务提出了极高要求。在基于芯驰E3车规级MCU的项目中，臻驱科技必须在新开发环境下完成底层MCAL驱动融合和平台代码移植，同时保障算力优化、满足功能安全。
02.
英诺赛科为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案
近日，800 VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放。如同电动汽车行业从400V向800V的升级，机架电压从48V提升至800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗以及铜材的需求。英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。
基于48V电压的传统人工智能系统正面临严峻的挑战——效率低下、铜耗过高，超过45%的总功耗耗费在散热上。未来的人工智能集群（如搭载超过500块GPU的机架）若沿用旧式PSU电源设计，将无空间容纳计算单元。800 VDC架构正是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案。除了向800V机架电源过渡外，该架构还要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率。只有氮化镓功率器件（GaN）能够同时满足这些严苛要求。
为满足800 VDC的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，以缩小磁性元件和电容器的尺寸。现有机架式电源的典型开关频率最高约300kHz，如果提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%。
英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势：
在800V输入侧，英诺赛科氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%。
在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%。
与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800 VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。
基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，其动态响应得到提升，同时降低了电路板上的电容成本。
作为业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。这使英诺赛科成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商，从容应对未来架构为满足更高功率需求的演变。
03.
浩能科技与北京纯锂新能源签署固态电池设备购销协议
近日，江门市科恒实业股份有限公司（以下简称“科恒股份”）全资子公司深圳市浩能科技有限公司（以下简称“浩能科技”）与北京纯锂新能源科技有限公司（以下简称“纯锂新能源”）正式签署固态电池生产设备购销协议，标志着这段强强联合的伙伴关系从战略蓝图迈向产业共建的崭新阶段。
纯锂新能源作为全球领先的固态电池创新科技公司，自创立以来便专注于全固态锂电池的研发与产业化，是国内为数不多全面掌握全固态电池从“材料、工程、工艺、产品、商业化到规模化”的公司。浩能科技是国内第一台锂电专用挤压涂布机制造商，在国内最早实现锂电前工序集成化并将智能装备返销日韩，是专注于研发、设计、生产高精度涂布、辊压、分切设备的新能源高端智能装备供应商。
此次签约涉及多台（套）固态电池相关设备，将用于支持纯锂新能源吉瓦级产线扩建和定制化技术升级的需求。不仅如此，此次签约也是继今年6月双方正式签署战略合作协议后又一重要里程碑事件，是双方在前期对固态电池产业战略合作共识和深入研判、持续推进的基础上，围绕万亿级固态电池市场齐心协力、相互促进、不断向纵深发展的直接体现。
沪公网安备31010702008139