NE时代

i20 1200V 200A/300A系列IGBT模块采用成熟的ST封装半桥拓扑设计，具有出色的温度循环能力，将运行结温提升至175℃显著提高了产品功率密度，从而拓展了散热设计的自由度。 该模块配备的i20精细沟槽栅型IGBT芯片组可实现极高的电流密度，其超低的损耗给模块带来了出色的系统可靠性，其对称环流设计，使得模块具有更低的寄生参数及开关特性，高度对称并联的电路设计，更好的实现了均流特性。