芯能发布新一代高效、高功率密度、高可靠性的电力电子核心功率转换解决方案。基于先进的宽禁带半导体材料——碳化硅 (SiC)，集成 SiC MOSFET 并内置优化的驱动与过流保护电路，功率在300W以下支持无散热器应用。
碳化硅IPM主要优势
极致高效，显著节能
•极低的导通损耗和几乎为零的反向恢复损耗 特性。
•相比传统硅基IGBT IPM，系统效率可提升2%至5%甚至更高，尤其在部分负载和开关频率提升时优势更明显。
•大幅降低能源损耗，减少散热需求，直接降低系统运行成本和温升。超高开关频率，实现小型化：
• SiC器件支持数倍于硅基器件的开关频率 (可达 100kHz 甚至更高)。
•产品更小、更轻。
•显著提升系统功率密度，使设备体积更紧凑、重量更轻。
主要特点
•集成了半桥驱动芯片、高性能SiC-MOSFET
•适用于正弦波或梯形波调制应用
•内部集成自举二极管
•双通道欠压保护
•所有通道延迟时间匹配
•兼容3.3V逻辑电平输入
•输入信号互锁保护，防止桥臂直通
•内部集成过流保护和过温保护功能
•集成温度监控与输出功能
•上电及断电使能功能
产品拓扑
爬电优化
10.3*10.3mm
系统测试
无散热系统，将IPM模块顶部/底部粘上热电偶探头；IPM样品顶部温度通过热电偶探头使用温度记录仪器监控实时温度；在环境温度35℃，控制载波频率 16 KHz，母线电压310V；持续运行负载电流0.6A、0.8A、1.5A、2.0A（峰峰电流）采集整机恒定温度；
温升监控
温度1 |
|
XNS06HS2E6 (IGBT) |
85.1 |
XNC10HS2E6 (SIC) |
57.3 |
XNS06S23H6 (SOP23) |
91.4 |
表1_0.6A-16khz温升测试数据汇总
温度1 |
|
XNS06HS2E6 (IGBT) |
100.8 |
XNC10HS2E6 (SIC) |
61.5 |
XNS06S23H6 (SOP23) |
115.6 |
表2_0.8A-16khz温升测试数据汇总
温度1 |
|
XNC10HS2E6 (SIC) 1.5A |
74.3 |
XNC10HS2E6 (SIC) 2.0A |
94 |
表2_1.5A/2.0A-16khz温升测试数据汇总
电流0.8A下，同类产品优化40度，不同封装优化50度，并且无散热器电流能达到2A。功率在300W以下支持无散热器应用。安装散热片的情况下，功率可以支持到1000瓦
沪公网安备31010702008139