上海和苏州，2025年7月29日——全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科（香港联交所代码：02577.HK）与联合汽车电子（以下简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。
得益于GaN技术相较于传统硅基功率器件的优势，GaN功率器件在电动汽车、可再生能源系统、人工智能及数据中心电源领域应用广泛。与传统硅相比，采用GaN的转换器和逆变器功率损耗可降低高达10倍，显著提升了效率、功率密度并降低系统成本，实现体积更小、重量更轻的优势，并减少二氧化碳排放。
联合电子副总经理郭晓潞博士表示：
“我们很高兴与英诺赛科合作，英诺赛科自2015年以来一直致力于GaN技术的量产，此次合作将加强双方包括高层管理人员在内的合作。我们已开发出基于GaN的高功率密度车载充电机。我们期待通过该实验室继续加强合作，推动氮化镓OBC应用创新。”
英诺赛科首席执行官吴金刚博士表示：
“我们很高兴与联合汽车电子建立联合实验室，联合汽车电子是汽车电子领域的全球领导者，也是宽禁带功率器件应用领域的技术领导者。英诺赛科已开发出业界性能最高、可靠性最高的GaN工艺，电压范围涵盖15V至1200V，并拥有全球最大的8英寸产能。我们期待与联合汽车电子携手，充分利用我们在GaN领域的优势，为基于GaN的电动汽车技术创新贡献力量。”
GaN由于其材料特性，可在功率转换中实现系统性能的新标准，显著降低损耗，从而提高效率、减小体积、减轻重量，从而降低系统BOM成本。GaN功率器件的应用范围已远远超出消费电子产品，在数据中心、工业和光伏设备中已实现量产，并被应用于电动汽车电力电子系统。
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