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芯粤能碳化硅主驱芯片量产上车,国产车规功率半导体实现关键突破

近日,搭载芯粤能自主研发第一代1200V 16mΩ SiC MOSFET主驱芯片的整车800V电驱总成成功下线,该芯片封装于芯聚能V2P功率模块。这标志着芯粤能的SiC MOSFET芯片在新能源车主驱领域的产业化应用突破,也意味着芯粤能成功实现了车规级芯片规模化制造的全产业链闭环,实现了高性能、高可靠性碳化硅芯片的国产化落地。

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芯粤能的1200V 16mΩ SiC MOSFET芯片,已通过芯片级AEC-Q101认证、模块级AQG324认证及电驱系统级整车验证,性能表现卓越,全流程满足车规级可靠性要求。在相同工况下,相比国际领先的碳化硅芯片同类产品,使用芯粤能此款芯片的功率模块出流能力更强,标志着其碳化硅主驱芯片的核心性能指标已跻身行业第一梯队,实现对国际头部厂商的技术赶超。

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芯粤能碳化硅MOSFET

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