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从OBC到主驱模块,氮化镓正加速上车!

氮化镓(GaN)也被称为宽带隙半导体,化合物半导体中带隙越宽,可以实现的耐压能力就越高。氮化镓开关速度极快,几乎无反向恢复损耗,适合高频场景,可缩小电感、电容等被动元件体积,让设备更紧凑。在电源或电机驱动中,氮化镓能显著降低发热,提升功率密度。

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图片来源:罗姆半导体

上海车展期间汇川、联电都拿出了各自的氮化镓OBC产品。浩思动力以及上海电驱动也都展出了其氮化镓主驱模块。由此可见在汽车领域氮化镓即将大规模应用,逐步取代硅基IGBT,成为高效功率转换的新标准。

01.

氮化镓技术重构OBC能效边界

汇川联合动力这次车展带来的氮化镓OBC两级式的是基于新需求开发的全新OBC+DCDC二合一电源应用技术。相较上一代电源方案,具有高效率、高功率密度、易于多合一集成等技术优势。对比传统Si/SiC方案,功率密度提升30%,达4.8kW/LOBC满载平均效率超过96%DCDC工况效率高达97.09%@700W,相较于传统Si/SiC方案,重量减少20%

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汇川的氮化镓车载电源适用于电池电压范围在200V500V的车型,其对功率回路做了优化,优化了高频大功率PCB布线技术,降低高速开关带来的干扰与损耗。通过级联/并联变换器磁性元件整体集成设计,系统性优化体积与损耗。散热方面是采用一体型材设计的水道结构,增大散热面积,降低热阻,同时减小体积与重量。

传统的车载充电机一般采用PFC(PowerFactor Correction功率因数校正)HVDC(高压直流转换器)组合的两级拓扑,其电路结构复杂,且成本较高。而单级方案仅需一次隔离变换,就能实现交流与直流双向功率控制,可有效精简系统设计。联合电子车展期间就展出一款单级式氮化镓OBC,拥有6.8kW/L最高功率密度,96%满载效率。最核心的优势就是省去了中间母线电容和独立PFC级,元件数量减少以及降低成本和体积。

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单级式:交流输入→单级高频逆变→变压器隔离→整流滤波→直接输出至电池。

两级式:交流输入PFC整流→中间母线→DC-DC隔离变换→输出至电池。

02.

主驱氮化镓应用落地

氮化镓GaN相比传统IGBT和碳化硅SiC,具有更高开关频率、更低开关损耗和更优成本。具体而言,氮化镓场效应晶体管(FET)可以较低的系统成本提供最好的效率,同时使系统更轻、更小、温度更低。具体到应用端最直接的就是提高功率转换效率。200kW逆变器系统为例,采用氮化镓可将整机效率从95%提升至99%。这意味着可以将满负载工况下的功率损耗从10kW锐减至2kW,降幅高达80%

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由此产生的技术红利体现在三个维度:首先,8kW的有效功率释放可转化为牵引系统的直接动力增益;其次,系统热耗的大幅降低使得散热需求减少,配套冷却系统的体积和重量可缩减;而且这种系统级优化可转化为续航里程提升,或在不改变续航指标的前提下实现电池组容量缩减。

车展期间浩思动力发布的Gemini微型增程器就是搭载的氮化镓功率模块,也是全球首款应用氮化镓功率模块的混动系统。这款浩思自研的冰刃系列氮化镓功率模块采用了PCB嵌入式封装工艺,实现了系统整体效率提升2%、驱动电控单元体积缩减超30%

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其氮化镓器件用的是安世半导体级联型氮化镓器件,采用了叠层结构和级联配置,结合了安世最新的650V高压GaN HEMT H4技术和将低压硅MOSFET技术,优化了栅极驱动并增强了系统稳定性,通过使用导通电阻Rds(on)低至几毫欧的GaN芯片结合PCB嵌埋封装功率半导体模块设计,可最小化封装产生的寄生电感,并且降低了连接电阻以及缩短了电流环路。

上海电驱动车展期间也展出了一款氮化镓的主驱模块其氮化镓器件用的是VisIC 650V D3GaN™。D3GaN™设计既不是基于固有栅极限制的增强型氮化镓技术,也不是基于限制性能的共源共栅耗尽型氮化镓的技术,是一种新型的耗尽型直接驱动氮化镓技术。

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当前的功率GaN FET有两个主流方向:增强型E-mode,单芯片常关器件)和耗尽型D-mode,双芯片常关器件)。目前E-mode栅极有稳定性和漏电流的问题,而驱动双芯片常关(或者说共源共栅配置)D-mode器件非常简单并稳健。上海电驱动的这款跟浩思动力这款GaN功率器件都属于耗尽型。但D3GaN™相较于级联拓扑结构,具有更好的开关性能,并且比e-mode器件更具鲁棒性。

03.

氮化镓能否主流替代

OBC里面用氮化镓主要是其开关损耗非常低,SiC一样没有反向恢复损耗,同时具有更高临界电场和更高迁移率的WBG材料,能够在更高的电压下提供最低的导通电阻RDS(on),具备明显更好的开关品质因数。还能让OBC变得更小,因为氮化镓功率晶体管支持更快的开关速度和更高的工作频率,有助于改善信号控制,为无源滤波器设计提供更高的截止频率,降低纹波电流,从而帮助缩小电感、电容和变压器的体积。

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主驱里面用氮化镓其实整体效率提升不多,由于电机绕组的限制,在牵引逆变器中使用GaN器件需要大幅降低其开关速度。dV/dt被限制在10 V/ns左右,然而GaN器件仍具有优化电机的巨大潜力,随着测量结果越来越好,当前市场对于使用氮化镓的信心也在逐渐增强。

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氮化镓OBC主驱模块

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