6月18日讯,士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(士兰集宏)在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币,分两期建设,两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片(6万片/月)的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元,预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标;2026年—2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
更新于: 2024-06-18 23:21:316月18日讯,士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(士兰集宏)在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币,分两期建设,两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片(6万片/月)的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元,预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标;2026年—2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
人工智能(AI)工作负载的快速增加,正在从根本上重塑数据中心的架构,推动封装尺寸、功率密度和集成复杂度达到前所未有的水平。在持续的高工作负载条件下,传统封装材料受到其热学、机械和电气性能极限的制约。本文探讨了Wolfspeed的300mm碳化硅(SiC)技术平台如何为下一代人工智能(AI)和高性能计...

全球碳化硅技术引领者Wolfspeed公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)于近日宣布,Wolfspeed300mm碳化硅(SiC)技术平台可在这十年内成为支撑先进人工智能(AI)和高性能计算(HPC)异构封装的核心基础材料。图1.由Wolfspeed300mm碳化硅晶圆实现的100mmx10...

新春伊始,天成半导体以“马力全开”的干劲跑出“加速度”,顺利实现“开门红”。继12英寸双突破后,依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料,有效厚度达30㎜。14英寸碳化硅原生晶锭天成半导体在2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺,且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突...

碳化硅,已经成了新能源电驱系统的必选项。2025年,碳化硅电控的装机量达到了305万套,占比提升至18.7%。对比2024年的198.7万套(占比14.1%),2025年碳化硅电控同比增速高达53.4%。这一增长速度,也远远超过了电控产品15.8%的行业平均增速。与出货量快速提升一同发生的,是碳化硅...

【2026年2月28日,德国慕尼黑和日本东京讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布,全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的CoolSiC™MOSFET(碳化硅功率MOSFET)产品。这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器(OBC)和DC...

Pcore™6HPDMini基本半导体汽车级Pcore™6HPDMini封装碳化硅MOSFET模块是一款专为新能源汽车主驱逆变器设计的高性能、高功率、小型化的功率模块。该模块采用创新HPDMini封装,搭载基本半导体自研第三代车规级碳化硅MOSFET芯片(提供750V/1200V/1400V电压规格...

Pcore™2ED3基本半导体推出1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore™2ED3系列,采用新一代碳化硅芯片技术,结合高性能Si3N4AMB基板与铜基板封装,在提升功率密度的同时显著增强产品可靠性。针对光伏、储能及工业电机驱动等应用,该模块具备低导通电阻与低开关损耗特性,支持更高开关频...

战略性技术里程碑–Wolfspeed已成功制造出单晶300mm(12英寸)碳化硅晶圆,标志着碳化硅技术演进的一次重大进步,也是新兴应用的关键推动因素。面向下一代应用的技术领导力–凭借着业内最为庞大、最具基础性的碳化硅知识产权组合(全球范围内已授权专利和在审专利合计超过2,300项),Wolfspee...

近日,依托自主搭建的12英寸中试线,晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司(以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”)成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性(TTV)≤1μm的关键技术突破。这是继建成行业首条12英寸碳化硅中试线后,晶盛机电研发中心与浙江晶瑞SuperSiC联手取得的又一重大成果,充分彰显...

2026年1月4日,杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东,副董事长、制造事业总部总裁范伟宏,副董事长、总裁郑少波分别致辞,中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。...


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