6月18日讯,士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(士兰集宏)在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币,分两期建设,两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片(6万片/月)的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元,预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标;2026年—2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
更新于: 2024-06-18 23:21:316月18日讯,士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(士兰集宏)在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币,分两期建设,两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片(6万片/月)的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元,预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标;2026年—2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
Pcore™6HPDMini基本半导体汽车级Pcore™6HPDMini封装碳化硅MOSFET模块是一款专为新能源汽车主驱逆变器设计的高性能、高功率、小型化的功率模块。该模块采用创新HPDMini封装,搭载基本半导体自研第三代车规级碳化硅MOSFET芯片(提供750V/1200V/1400V电压规格...

Pcore™2ED3基本半导体推出1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore™2ED3系列,采用新一代碳化硅芯片技术,结合高性能Si3N4AMB基板与铜基板封装,在提升功率密度的同时显著增强产品可靠性。针对光伏、储能及工业电机驱动等应用,该模块具备低导通电阻与低开关损耗特性,支持更高开关频...

战略性技术里程碑–Wolfspeed已成功制造出单晶300mm(12英寸)碳化硅晶圆,标志着碳化硅技术演进的一次重大进步,也是新兴应用的关键推动因素。面向下一代应用的技术领导力–凭借着业内最为庞大、最具基础性的碳化硅知识产权组合(全球范围内已授权专利和在审专利合计超过2,300项),Wolfspee...

近日,依托自主搭建的12英寸中试线,晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司(以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”)成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性(TTV)≤1μm的关键技术突破。这是继建成行业首条12英寸碳化硅中试线后,晶盛机电研发中心与浙江晶瑞SuperSiC联手取得的又一重大成果,充分彰显...

2026年1月4日,杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东,副董事长、制造事业总部总裁范伟宏,副董事长、总裁郑少波分别致辞,中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。...

SiC技术重磅突破!瀚天天成全球首发12英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的150mm(6英寸)碳化硅外延晶片,以及尚处产业化推进阶段的200mm(8英寸)产品,300mm(12英寸)晶片凭借直径的显著扩容,在相同生产工序下,单片可承载的芯片(器件)数量实现大幅提升——较6英寸晶片提升至4.4倍,较...

联合电子新一代Gen2800VSiC(碳化硅)油冷电桥在太仓工厂迎来批产。作为联合电子在新能源电驱领域中里程碑式的产品,该平台集成了油冷电机、一体化壳体、自研齿轴等多项首次应用的创新技术。联合电子Gen2800VSiC油冷电桥在上一代电驱的基础上,引入了大量创新技术,在成本、性能、效率、重量、体积等...

Wolfspeed宣布推出最新的车规级1200VE4MS系列分立式碳化硅MOSFET,基于业界领先的第四代(Gen4)技术平台开发,为汽车车载充电器、DC/DC转换器、电子压缩机和加热与冷却系统等应用提供了优异的性能。E4MS系列采用了软恢复体二极管,可实现快速开关,同时将过冲和振铃降至最低,从而为...

11月24-26日,第八届深圳国际充换电与光储充展览会(简称“深圳CPSE充换电展”)在深圳会展中心盛大召开,汇聚800多家知名品牌,全面覆盖新能源汽车充换电全产业链。在这场行业盛会中,昕感科技集团携旗下创新的高效碳化硅技术以及功率半导体的整体解决方案隆重亮相,成为展会焦点之一。碳化硅技术助力突破充...

继SiCMOSFET在新能源汽车主驱领域实现快速上量应用后,AI数据中心电源正成为其下一个爆发式增长市场。近日,芯联集成(688469.SH)发布全新碳化硅G2.0技术平台,采用了8英寸更先进制造技术,已达到全球领先水平。该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化,实现“高效率、高功率密度、高可靠”...


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