6月18日讯,士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(士兰集宏)在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币,分两期建设,两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片(6万片/月)的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元,预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标;2026年—2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
更新于: 2024-06-18 23:21:316月18日讯,士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(士兰集宏)在厦门市海沧区正式开工。项目总投资为120亿元人民币,分两期建设,两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片(6万片/月)的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元,预计在2025年三季度末实现初步通线,2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标;2026年—2028年持续进行产能爬坡,最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
SiC技术重磅突破!瀚天天成全球首发12英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的150mm(6英寸)碳化硅外延晶片,以及尚处产业化推进阶段的200mm(8英寸)产品,300mm(12英寸)晶片凭借直径的显著扩容,在相同生产工序下,单片可承载的芯片(器件)数量实现大幅提升——较6英寸晶片提升至4.4倍,较...

联合电子新一代Gen2800VSiC(碳化硅)油冷电桥在太仓工厂迎来批产。作为联合电子在新能源电驱领域中里程碑式的产品,该平台集成了油冷电机、一体化壳体、自研齿轴等多项首次应用的创新技术。联合电子Gen2800VSiC油冷电桥在上一代电驱的基础上,引入了大量创新技术,在成本、性能、效率、重量、体积等...

Wolfspeed宣布推出最新的车规级1200VE4MS系列分立式碳化硅MOSFET,基于业界领先的第四代(Gen4)技术平台开发,为汽车车载充电器、DC/DC转换器、电子压缩机和加热与冷却系统等应用提供了优异的性能。E4MS系列采用了软恢复体二极管,可实现快速开关,同时将过冲和振铃降至最低,从而为...

11月24-26日,第八届深圳国际充换电与光储充展览会(简称“深圳CPSE充换电展”)在深圳会展中心盛大召开,汇聚800多家知名品牌,全面覆盖新能源汽车充换电全产业链。在这场行业盛会中,昕感科技集团携旗下创新的高效碳化硅技术以及功率半导体的整体解决方案隆重亮相,成为展会焦点之一。碳化硅技术助力突破充...

继SiCMOSFET在新能源汽车主驱领域实现快速上量应用后,AI数据中心电源正成为其下一个爆发式增长市场。近日,芯联集成(688469.SH)发布全新碳化硅G2.0技术平台,采用了8英寸更先进制造技术,已达到全球领先水平。该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化,实现“高效率、高功率密度、高可靠”...

自主研发,创新不止!科友半导体再传捷报10月中旬,科友半导体在第三代半导体材料领域取得重大突破,成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶。这是继公司突破12英寸导电型碳化硅单晶制备技术后,在大尺寸碳化硅材料领域的又一重要里程碑,标志着科友在12英寸碳化硅装备与材料技术方面实现了新的跨越。大尺寸碳化硅:新一代...

日本罗姆将在定位为全公司增长引擎的碳化硅(SiC)功率半导体方面,加快技术世代的升级速度。为了不输给中国企业,该公司将同时开发多个技术代际,把过去为3~4年的升级间隔缩短至2年以内。由于半导体行情恶化,2024财年(截至2025年3月)时隔12年出现最终亏损,罗姆将在等待行情复苏的同时,通过与东芝的...

去年PCIM期间,NE时代与时任博世汽车电子事业部(以下统称博世)中国区总裁NormanRoth博士进行过深度的交流。交流的核心主题是品质和价格之间博世的选择。期间我们交流了博世第二代碳化硅芯片的特点,8英寸碳化硅的进展,以及碳化硅功率模块的技术形式。同时,NormanRoth博士强调了本地化,以及...

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近日,芯联集成与理想汽车隆重举办理想&芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式。近日,芯联集成与理想汽车隆重举办理想&芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式,这标志着双方在碳化硅产品领域的深度合作取得了重大阶段性成果。芯联集成董事长、总经理赵奇,理想汽车供应链高级副总裁孟庆鹏等...


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