富士电机将在2024~2026年度的3年内向半导体领域投资2000亿日元规模。重点将放在用于纯电动汽车(EV)电力控制等的功率半导体上,计划在日本国内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线,提高产能。意在抓住不断扩大的需求,带动下一个增长。>
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据悉,与此前用作半导体材料的硅相比,碳化硅在高硬度和耐久性方面表现突出,能够承受高电压和高电流。>
>在截至2023年度的为期5年的现有中期经营计划中,富士电机一直以每年400亿日元的速度在半导体领域展开投资。从2024年度开始的3年新中期经营计划将改为每年700亿日元,加速投资。>
>具体来说,富士电机将在松本工厂(长野县松本市)建设“光刻前工程”生产线。将在2027年度以后开始生产使用8英寸大型晶圆的碳化硅功率半导体。富士电机计划从2024年度开始在津轻工厂(青森县五所川原市)量产6英寸碳化硅功率半导体。通过进一步扩大晶圆尺寸,可用一块晶圆切割的芯片数量将随之增加,有望提高生产效率。>
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