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11月29日，据韩联社报道，日本电装公司将与富士电机共同投资约2100亿日元（约合人民币100.8亿），计划增加碳化硅衬底和芯片产量，以满足新能源汽车市场的需求。

文章进一步透露，此次合作中，电装公司将负责生产碳化硅衬底，富士电机将负责制造SiC功率器件，并扩大必要的生产设施，预计产能为31万片/年，计划从2027年5月开始供货。此外，日本经济产业省也将对该项目进行补贴，最高达700亿日元（约合人民币33.6亿）。

值得关注的是，电装公司与富士电机或将直接供应8英寸碳化硅：

据日经新闻网报道，富士电机于2023年12月宣布，将在2024～2026年度的3年内向半导体领域投资2000亿日元（约合人民币96亿），重点面向新能源汽车等领域的功率半导体应用，计划在日本国内工厂新建碳化硅功率半导体的生产线，并将在2027年以后开始生产、供应8英寸碳化硅功率半导体。

据此前报道，日本电装公司已经形成了从SiC 籽晶生长，到SiC 晶锭和外延生长、沟槽栅SiC MOSFET、功率模块以及电机控制器的全产业链关键技术闭环。

早在2023年，电装公司便对外宣布，他们的HTCVD已经可以量产8英寸SiC晶锭，且6吋SiC衬底的成本可以降低30％，8吋SiC衬底的成本可以实现减半，预计衬底片的产量是PVT的4倍左右。