安世半导体（Nexperia）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on)分别为 40mΩ和 80mΩ。
NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是NexperiaSiCMOSFET 产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同 RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiCMOSFET 的需求。
RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiCMOSFET 的关键性能参数。安世半导体认为这是目前市场上许多SiC器件性能的限制因素。但是通过创新工艺技术，安世半导体的首款SiCMOSFET 实现了业界领先的温度稳定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加 38%。这与市场上其他许多目前可用的SiC器件不同。
安世半导体SiCMOSFET的总栅极电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，安世半导体通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。
除了正温度系数外，安世半导体SiCMOSFET 的 VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。
安世半导体未来还计划推出车规级 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已投入大批量生产。
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