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9月20日，株洲中车时代半导体有限公司对外公示了新能源汽车用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片产业化项目竣工环境保护验收报告。

根据报告，该SiC项目性质为改扩建，建设地点位于株洲市石峰区井龙街道田心工业园时代路现有#301碳化硅厂房内。本次阶段验收只针对碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目包含的新能源汽车用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片产业化项目进行验收，对应产能为2万片/年。

2022年4月，株洲中车时代电气股份有限公司发布公告称，控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建设工期为24个月。

该SiC项目于2021年11月开始动工实施，2023年5月建设完成，并完成初步调试工作进入试生产运行。