三菱电机3月14日宣布，将增产SiC功率半导体，主因EV用需求旺，带动市场预估将呈现急速成长。三菱电机将投资约1,000亿日元，在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房，该座新厂将导入8寸SiC晶圆产线，预计2026年4月启用生产，三菱电机并将扩增位于熊本县合志市的工厂的6寸晶圆产能。
藉由上述增产投资，2026年时，三菱电机SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍水平。
三菱电机指出，包含上述投资计算，2021-2025年度的5年期间，该公司对功率半导体事业的设备投资计划合计将达2,600亿日元，投资规模将较原先计划值（1,300亿日元）倍增。
半导体制造工程可大致分为在硅晶圆上形成电路的“前段制程”和进行组装、封测等的“后段制程”，而三菱电机上述位于熊本县的2座据点皆属于“前段制程”据点。在“后段制程”部分，三菱电机计划投资约100亿日元在Power Device Manufacturer（位于福冈市）内兴建新厂房。
三菱电机2010年开始量产碳化硅功率半导体。据法国调查公司Yole统计，三菱电机2021年碳化硅功率半导体的全球份额排在第6名。在日本企业中仅次于排在第4名的罗姆。富士电机及东芝也进入世界前十，第一名是瑞士的意法半导体。
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