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CoolSiC™ MOSFET 650V第二代

产品，新增75mΩ型号

CoolSiC™ MOSFET 650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiC MOSFET技术打造，通过提升性能、增强设计灵活性及鲁棒性，实现系统性价比的飞跃。该系列在硬开关与软开关拓扑中均能实现顶级的效率、高频开关特性及可靠性。

产品型号：

■ IMBG65R075M2H

■ IMW65R075M2H

■ IMZA65R075M2H

■ IMLT65R075M2H

■ IMTA65R075M2H

产品特性

卓越的器件优值

同类最佳的导通电阻

高鲁棒性与整体品质

灵活的驱动电压范围

支持单极性驱动（关断栅压VGS,off=0 V）

更低的热阻

采用.XT扩散焊技术

支持顶部与底部双侧散热

TOLL封装：与所有8x8mm FET引脚完全兼容

应用价值

优化系统成本

单位成本下的系统性能最大化

最高的可靠性

可实现顶尖效率与功率密度

简化组装与散热设计

支持水冷设计

支持无风扇或散热片的设计

更低的杂散电感

更优的栅极控制性能

竞争优势

TOLL封装在严苛的高功率应用中，以卓越的可靠性取代D2PAK、TO247及TO220封装，并可实现最大功率密度

TOLT封装顶部散热设计是液冷系统的理想选择，并与高度同为2.3mm的Q-DPAK封装形成互补

应用领域

单相组串式逆变器解决方案

储能系统

通信设备开关电源

边缘计算设备开关电源

服务器电源

电视电源

人形机器人充电

电池充电系统

轻型电动车辆

电动自行车充电

电机驱动

家用空调

暖通空调系统