NE时代

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司凭借其硅基功率MOSFET技术CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，助力长城电源技术有限公司在更高功率等级的电源中实现更高的功率密度与更卓越的性价比。

英飞凌CoolMOS™ 8全系封装产品

英飞凌的MOSFET产品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可实现出色的能效表现和高功率密度。600V CoolMOS™ 8超结（SJ）MOSFET专为实现出色的效率、可靠性并节约成本而设计。能够在600V CoolMOS™ 7与CoolMOS™ 8之间无缝切换以实现供应灵活性，以及在LLC阶段的易用性，是长城电源选择该技术的主要原因之一。

英飞凌通过硅基功率MOSFET技术，为客户带来卓越的性能、可靠性与成本效益，为全球市场树立了创新与卓越的行业标杆。我们的CoolMOS™ 8技术正是这一承诺的绝佳例证，它为打造满足数据中心应用严苛要求的高性能电源解决方案提供了强大支持。

Christina Guggenberger

英飞凌科技副总裁高压功率开关产品线负责人

与英飞凌的持续深化合作，让我们得以借助其行业领先的CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET技术，提升我们的系统性能并实现更高的成本效益。这一合作体现了我们在行业内追求创新与卓越的坚定决心。我们很高兴地看到，我们现在为客户提供的电源解决方案（PSU）在功率密度和成本节约方面实现了显著提升。

金博士

长城电源首席技术官

英飞凌最新推出的600V CoolMOS™ 8在全球高压超结MOSFET技术领域处于领先地位，为全球范围内的技术水平及性价比树立了标杆。该技术提升了整体系统性能，并进一步助力推动在充电器、适配器、光伏及储能系统、电动汽车充电设备，以及不间断电源（UPS）等领域的低碳化进程。与CFD7系列相比，CoolMOS™ 8超结（SJ）MOSFET的栅极电荷降低了18%；与P7系列相比，栅极电荷降低了33%。栅极电荷减少意味着使MOSFET从关断状态（非导通）切换至导通状态所需提供的电荷量更少，从而实现更高能效的系统性能。此外，该MOSFET拥有市面上更快的关断时间，且热性能较上一代产品提升了14%至42%。600V CoolMOS™ 8超结（SJ）MOSFET内置快速体二极管，提供SMD-QDPAK、TOLL及ThinTOLL-8x8等封装形式，适用于广泛的消费类及工业类应用场景。

除碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术外，英飞凌的功率 MOSFET在性能、可靠性、品质及性价比方面树立了行业标杆，不仅能实现一流的应用效果，还助力客户开发兼具创新性与成本效益的解决方案，以满足各类严苛需求。

供货情况

600V和650V CoolMOS 8 超结（SJ）MOSFET的样品现已开放订购。