近日,小鹏汽车与芯联集成联合宣布,>国内首个混合碳化硅产品已实现量产>。据了解,>该产品由小鹏汽车设计开发、>芯联集成>联合开发并量产落地>。>
>此前,在“小鹏 AI 科技日”上,小鹏汽车推出了基于全域800V高压碳化硅平台的“小鹏鲲鹏超级电动体系”,并表示未来将在超级电动车型、纯电车型中采用混合碳化硅方案。>
>根据当时发布的数据信息,>基于>混合>碳化硅>的电机控制器,可实现93.5% CLTC效率,且在碳化硅芯片用量>减少60%>的同时,输出功率提升 10%>。>
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>■>NE时代·2025上海车展·小鹏汽车展台交流>
>在本次混合>碳化硅>项目中,芯>联集成负责了功率芯片开发制造以及封装工艺开发、导入及生产制造>。>
>芯联集成则是国内半导体产业的中坚力量,是国内规模最大的MEMS晶圆代工厂,也是中国最大的车规级IGBT生产基地之一。在碳化硅领域,芯联集成拥有先进的技术和卓越的产品性能,已达到国际先进水平。>
>芯联集成通过持续的研发投入,>建立了从研发到大规模量产的全流程车规级>质量管理体系>,产品广泛应用于新能源汽车的核心领域。>
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2024年芯联集成已实现碳化硅收入超10亿元,同比增长超100%。2025上半年,芯联集成建设的国内首条8英寸SiC MOSFET产线已实现批量量产,关键性能指标业界领先。>根据NE时代发布数据,芯联集成碳化硅功率模块装机量位居全国第三。>
>据芯联集成透露,此次量产导入的混合>碳化硅>技术,创新性地将硅与碳化硅相结合,在不牺牲性能的前提下,有效降低了碳化硅芯片的用量。>
>这一技术突破不仅大幅降低了芯片成本,还显著提升了>功率密度>,为>新能源>汽车的高效运行提供了有力保障。与此同时,>芯联集成拓展了市场空间,进一步巩固了其在车规级芯片领域的领先地位。>
>01.>
>Si/SiC“混搭”的技术活儿>
>在2023年特斯拉投资者大会上,特斯拉曾表示下一代汽车平台的动力总成中将减少75%的碳化硅使用。各方猜测中>,>Si>/>SiC>混合功率模块方案是呼声最高的技术方案>。>
>所谓的混合器件,其实也有不同的情况、不同程度的混合。以往Si/SiC混合功率模块更多的是指二极管采用碳化硅,但IGBT依然采用硅基。>
>目前业界认为可行性比较高的情况就是>在同一个>碳化硅>模块封装里会把硅的裸芯片以及碳化硅裸芯片进行并联>。>
>通过碳化硅器件的高速导通和关断特性,在混合开关导通和关断阶段 SiC MOSFET 工作,降低混合开关的导通和关断损耗;同时,利用Si IGBT 的电导调制效应,在正常的电流运载阶段 Si IGBT 工作,以实现混合开关低的通态损耗。>
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根据Yole此前报告提及的两个例子,>第一个是1:1的并联,第二个是1:4的并联>,它的好处是可以充分利用碳化硅开关比较快的优势,利用硅本身去做大规模载流,进而使得成本降低。>
>难点则在于>如何>把均流做好>,>也就需要在持续的控制上做的非常好,因为“管子”有不同的开关特性。>
>当然,这里面也有一些问题,比如做不同的开关到底用一个GateDriver还是分别用不同的GateDriver。>如果分别用不同的GateDriver的话,>成本有比较大的提升。>Si/SiC混合功率模块方案>方案的初衷是想降低成本,如果通过这方面又把成本提升了,则需要新的考量。>
>目前,业界也有不少“混搭”的案例。>
>去年9月,>英飞凌将不同的半导体材料结合到新型逆变器设计中,在成本和性能优化方面实现平衡>;随后10月,汇川联合动力就推出了采用Si和SiC混合功率模块的电机控制器产品——>PD4H混碳电控>。>
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>■>PD4H混碳电控(左)-PD4H混碳逆变模组(右)> >
>PD4H混碳电控是基于汇川第四代电机控制器平台进行开发,>采用英飞凌新一代的IGBT和SiC MOSFET混合模块>,优化并利用EDT3 IGBT 和Gen2 SiC的技术优势,使得两种芯片性能兼容匹配,发挥不同芯片在不同工况下的技术优势。其峰值功率可覆盖150~250kW的动力总成系统,满足A/B/C级轿车、中大型SUV和MPV等多种车型的动力输出要求。>
>据悉,>PD4H混碳电控CLTC工况实测效率高达98.5%,较采用同代Si基器件的电机控制器效率提升1.5%>。>
>除此之外,采埃孚亚太区研发团队自主研发了芯片内嵌式逆变器(Chip Inlay Power Board, CIPB)。该产品通过将功率芯片嵌入PCB,采埃孚将杂散电感降低,将体积功率密度做高,实现逆变器的极致性能。>
>值得一提的是,>采埃孚>在CIPB基础上还实现了>SiC>&>Si的>混合应用>,即采埃孚CIPB DualSemi方案>,相较于纯SiC应用,>可以在系统平均效率相当的前提下实现高性能输出,进一步体现了CIPB在性能,效率,成本及产品适用性方面的巨大潜力。>
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据悉,>采埃孚的CIPB逆变器,在采用全SiC芯片下可将性能做到极致,而在考虑成本下混搭IGBT>。>
>主机厂方面,>吉利已经突破并掌握了>碳化硅>混合驱动集成关键技术>,在>降低75%以上碳化硅用量>的同时,实现更高综合效率,推动800V的全面普及>。>
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02.>
>写在最后>
>随着小鹏汽车与芯联集成国内首个Si/SiC混合碳化硅产品的量产落地,进一步推动该技术从样品阶段走向商业化。>Si/SiC混合功率模块有望在性能、效率和成本的平衡点追求下脱颖而出。>但不可忽视的是,当前碳化硅成本正处于快速下降阶段,未来混合模块需持续优化以巩固平衡优势,而碳化硅成本下降也将推动行业技术升级,二者的发展与竞争将影响行业技术路线选择。>
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