瑞萨电子推出新型栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

NE时代新能源更新于 2023-01-31 09:50:54

1月30日，瑞萨电子宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。

栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品（R2A25110KSP）的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。此外，全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。

RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除适用于牵引逆变器外，该栅极驱动器IC还非常适合采用功率半导体的各类应用，如车载充电器和DC/DC转换器。为助力开发商将产品迅速推向市场，瑞萨推出xEV逆变器套件解决方案，该方案将栅极驱动IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。