碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料，其击穿场强是硅的10倍，热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作，具有极低的开关损耗和高频工作能力，减小模块的体积和重量，显著提高系统的效率，有利于节能降耗，广泛应用于风光发电、光伏逆变、UPS储能、新能源汽车、航天军工等高科技领域。各个国家和企业针对碳化硅MOS器件都开展大量的研究工作，但目前全球能批量生产的只有cree、rohm、ST、GE等三五家企业。
比亚迪微电子团队通过不断的工艺及设计试验，目前在国内已自主研发出适合于新能源汽车使用的两款碳化硅功率MOS器件BF930N120SNU（1200V/30A）和BF960N120SNU（1200V/60A），N沟道增强型功率MOSFET，并同步研制开发1200V/200A和1200V/400A全SiC MOS模块。
SiC 模块
SiC 单管
SiC晶圆
器件主要参数：耐压超过1200V，最高可达1700V；最大电流可达到60A。
| 产品型号 |
VTH(V) |
BVDSS(V) |
IDSS(uA) |
VFSD(V) |
RDON(mR) |
IGSS(nA) |
ISGS(nA) |
VTH(V) |
| ID=10mA |
ID=250uA |
VDS=1200V |
IS=5.00A |
ID=5.00A VGS=20.0V |
VGS=22.0V |
VSG=10.0V |
ID=1.00mA |
|
| BF960N120SNU |
2.75 |
1295.1 |
1.09 |
3.62 |
38.22 |
10.61 |
3.30 |
2.48 |
| BF930N120SNU |
2.27 |
1749.3 |
0.02 |
4.58 |
105.9 |
2.38 |
1.48 |
1.97 |
器件关键特性：
1、击穿电压稳定性：从室温升高到150度，耐压波动小于3%；
2、可靠性试验：现已通过500小时的HTGB和HTRB可靠性试验，试验前后Vt波动小于0.4V。
