在高效能电源设计的浪潮中，氮化镓技术正以前所未有的速度重塑行业格局。近期，英诺赛科四款SolidGaN 产品全新发布，基于第三代InnoGaN 技术打造，涵盖中小功率消费电子、大功率工业电源及车规级应用，全面满足多场景高效、高可靠电源需求。
四款产品除了延续 InnoGaN 器件高速、高效、高功率密度的性能外，更在系统兼容性、可靠性、易用性上实现了重要突破，助力客户以最小改动，最快速度拥抱 InnoGaN带来的性能飞跃。
ISG613xATK / ISG613xATJD
无缝替换MOS，中小功率电源升级首选
01
专为希望从传统 Si MOSFET 平滑升级至 GaN 方案的客户设计。提供 TO-252 与 TO-220F 两种行业主流封装，引脚完全兼容，无需更改PCB布局与控制器，即可直接替换，大幅降低升级门槛与风险。
核心亮点： Advantage
完美兼容：直接兼容现有 Si MOS 控制器与驱动电路
集成保护：内置栅极钳位与短路保护，提升系统鲁棒性
性能跃迁：凭借 GaN 的零反向恢复与低开关损耗，显著提升效率与功率密度
该系列产品可应用于中小功率 PFC、QR 反激、AHB、LLC 等 AC-DC 拓扑，是适配器、电视机电源、工业辅助电源等场景的理想升级方案。
ISG6122ATD/TA/TP 系列
灵活封装，赋能大功率高可靠应用
02
面向服务器电源、数据中心、光伏储能、车载 OBC/DCDC 等大功率、高可靠性要求的应用场景。提供 TO-247-4L（插件），TOLL 底部散热贴片，TOLT顶部散热贴片，共三种主流大功率封装，客户可根据生产工艺与散热需求灵活选择。
核心亮点： Advantage
强抗干扰：具备 100V/ns 的 dv/dt 抗扰能力，集成米勒钳位，确保在复杂 EMI 环境下稳定运行
灵活之选：三种封装形态，兼顾高性能与生产便利性
即插即用：同样兼容现有 MOSFET 控制器，加速方案导入
ISG6122ATD/TA/TP系列可用于大功率 AC-DC、DC-DC 转换器，是服务器电源、光伏逆变器、储能 PCS 及车载高压电源提升效率与功率密度的关键器件。
ISG6127ATP-Q
车规认证，专为严苛车载环境而生
03
ISG6127ATP-Q在 ISG6122A 高性能的基础上，通过了AEC-Q100车规认证，进一步满足汽车电子对可靠性的极致要求，推动 GaN 在车载 OBC 和 DCDC 中的规模化应用。
核心亮点： Advantage
车规认证：全面符合 AEC-Q100 可靠性标准
车载优化：采用更利于散热设计的顶部散热贴片封装，适应汽车空间与热管理要求
双重保障：100V/ns dv/dt 抗扰结合集成米勒钳位，保障在恶劣电气环境下的绝对安全
ISG6127ATP-Q可应用于车载OBC、车载 DC/DC 转换器，助力电动汽车实现更快速充电、更高能量转换效率与更紧凑的电源设计。
ISG6118TM
高度集成，重新定义高效PD快充
04
针对 Inbox 适配器、PD 充电器等对成本、效率、尺寸极度敏感的消费电子市场，推出的高性能、高集成度、高性价比的合封芯片解决方案。
核心亮点： Advantage
业界高集成：单芯片集成 230mΩ GaN、栅极驱动器及高精度无损电流检测，省去外部分流电阻，进一步提升效率
极致轻载能效：待机电流低至 50μA，休眠电流低于 10μA，轻松满足全球严苛的能效法规：零功耗标准
卓越 EMI 性能：内部优化 dV/dt 与 dI/dt，简化外围滤波设计
散热优异：采用带接地散热焊盘的 TO252-4L 封装
典型应用：PD 快充适配器、LED 智能照明、太阳能微型逆变器等，是打造小巧、高效、节能消费类电源产品的核心利器。
此次发布的四款SolidGaN 合封新品（除 ISG6118TM 为驱动器+GaN 合封）均兼容现有 MOSFET 方案，极大降低客户从“硅”向“氮化镓”演进的技术风险与时间成本。同时产品所具备的集成短路保护、栅极/米勒钳位等多项保护功能，结合优化的抗干扰设计，可确保系统在各种极端工况下稳定运行。
依托英诺赛科第三代 GaN 技术平台，所有产品均具备零反向恢复电荷、低开关损耗、高开关频率等核心优势，为客户带来效率、功率密度和系统精简度的全面提升。
场景全覆盖，赋能绿色高效能源未来
从日常的PD 快充，到数据中心的服务器电源，再到智能时代的电动汽车，英诺赛科此次发布的新品矩阵，实现了对核心电能转换场景的全方位覆盖。
我们深信，技术的价值在于应用。英诺赛科将持续深耕氮化镓技术，提供 更高效、更可靠、更易用的芯片解决方案，与全球合作伙伴携手，共同推动能源利用方式的绿色革新，赋能更加智能、高效的世界。
沪公网安备31010702008139