三井金属的负热膨胀材料
此前，半导体封装领域一直使用球状二氧化硅等“低热膨胀材料”，但即便混入球状二氧化硅，封装也会产生轻微膨胀。相比之下，三井金属的负热膨胀材料可实现最大约7倍于其他厂商材料的收缩率……
三井金属将于2026～2027年开始量产用于尖端半导体的“遇热收缩型材料”。 这种材料能够抑制因加热而导致的物质膨胀。通过将这种材料混合到英伟达等的图像处理半导体（GPU）使用的封装材料中，可以抵消热膨胀，从而防止半导体封装的开裂或变形。此举旨在应对因人工智能（AI）发展而急剧增长的半导体需求。
在提升半导体性能的过程中，不仅需要将单个芯片的电路微细化，还需将多个芯片集成到基板上。尽管高密度集成会使半导体尺寸增大，但封装材料在受热影响下也更容易出现开裂和变形。为了实现尖端半导体的稳定供应，材料方面也需要采取相应的对策。
三井金属将量产的是一种名为“负热膨胀材料”的化合物。
已基本完成将该化合物混入封装材料中以抑制树脂热膨胀的技术开发，目前正等待封装材料制造商的认证。若进展顺利，最快将于2026年在福冈县大牟田市的工厂开始生产。
此前，半导体封装领域一直使用球状二氧化硅等“低热膨胀材料”，但即便混入球状二氧化硅，封装也会产生轻微膨胀。
相比之下，三井金属的负热膨胀材料可实现最大约7倍于其他厂商材料的收缩率，因此有望取代现有的低热膨胀材料。同时，该材料还具备封装所需的绝缘性能。
沪公网安备31010702008139