◎Nexperia推出车规级平面肖特基二极管
◎基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET
◎ 宁德时代正式通过港交所讯01. Nexperia推出车规级平面肖特基二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出采用CFP2-HP封装的全新产品组合，包含16款优化低VF平面肖特基二极管。新产品组合包含八款工业级产品（例如PMEG6010EXD）和八款通过AEC-Q101认证的产品（例如PMEG4010EXD-Q）。本次产品发布是为了支持制造商用更小尺寸的CFP封装器件取代SMA/B/C型封装器件的发展趋势，特别是在汽车应用中。新推出的二极管适用于诸如DC-DC转换、续流、防反保护、或打嗝电路等场景。
为尽可能实现设计灵活性，新产品组合中提供20 V至60 V的反向电压VR(max)和1 A至2 A的正向电流IF(average)。CFP2-HP采用外露型散热器，因此能在小封装尺寸下提供超高水平的散热效率(Ptot)。CFP2-HP封装尺寸为2.65 mm x 1.3 mm x 0.68 mm（含引脚）。
CFP封装采用铜夹片设计，可满足对高效及小型化设计的苛刻要求。如今，CFP封装已可用于不同的功率二极管技术，例如Nexperia的肖特基整流二极管和恢复整流二极管，不久后还将拓展至双极性晶体管，使产品多样性大大提升。由此将进一步巩固Nexperia在封装创新领域的优势，凭借Nexperia作为半导体制造商所建立的可靠供应链，为客户提供丰富多样的器件选择。
02.基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET
近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。其中650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距微缩至4.0μm，在低电压等级下实现了更高性能表现。这一系列新品将显著提升终端应用的系统效率和高温性能，降低能量损耗，助力新能源领域实现更高效、更经济的功率器件解决方案。
新一代碳化硅MOSFET参数列表
开关损耗 Eoff/Etotal 在常温和高温下均优于W*/O*国际竞品，高温下Eon与国际竞品W*接近。
开关损耗Eoff/Eon/Etotal 在常温和高温下表现优异，与W*/S*国际竞品接近。
在产品交付形态上，基本半导体提供裸芯片和晶圆两种形式之外，在封装方面针对不同应用场景进行了全面布局：1200V/13.5mΩ产品提供TO-247-3和TO-247-4封装；1200V/40mΩ产品提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封装；650V/40mΩ产品则提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多种封装选择，为新一代高功率密度、低成本应用开发提供了更为完善的解决方案。
03. 宁德时代正式通过港交所讯
5月6日）全球动力电池龙头企业宁德时代正式通过港交所主板上市聆讯，标志着其“A+H”股上市计划迈出关键一步。此次港股IPO拟募资约50亿美元（约390亿港元），预计将于5月上旬启动预路演及建簿招股，若成功发行，将成为继2021年快手之后香港市场近四年来规模最大的IPO。截至今日午间收盘，宁德时代A股市值达1.03万亿元人民币，稳居全球新能源行业市值榜首。
根据招股书，此次募资将用于推进匈牙利项目第一期及第二期建设，营运资金及其他一般企业用途。该公司正在推进匈牙利工厂，Stellantis N.V.合资的西班牙工厂以及印尼电池产业链项目的建设或筹建。
沪公网安备31010702008139