3月7日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。
这款模块 产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy 1B封装 相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。 该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB） 上，具有内绝缘功能，可直接紧贴散热器，无需外加陶瓷绝缘垫片，安全可靠，散热更好； 同时，模块采用弹簧安装座，组装方便， 集成的安装夹使安装 牢 固 。
图1，模块外观
模块电路拓扑
该模块产品内置1200V 9mΩ SiC MOSFET组成半桥电路，具有较低的杂散电感，简化了应用电路的设计，相对于分立器件方案，提升了功率密度。同时集成热敏电阻(NTC)以监测温度。
该产品具有开尔文源极引脚，能在SiC MOSFET高速开关时，抑制驱动电压尖峰，保障高频开关应用安全和可靠。
图2，模块拓扑
SiC MOSFET芯片
这款模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表现，支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压，额定电流100A。
应用场景
该产品适用于高频、高效率功率变换系统，具有安全可靠、尺寸紧凑、安装方便等特点，典型应用场景如下：
高频开关应用
高压直流变换器（DC-DC）
直流充电桩
不间断电源（UPS）
沪公网安备31010702008139