2024年6月19 -20日，由巨力自动化总冠名，电动汽车电驱动系统全产业链技术创新战略联盟主办，中国电工技术学会电动车辆专委会协办，NE时代承办，中国中车、上海电驱动为战略合作单位的“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”在上海嘉定圆满召开。

芯联集成产品研发高级经理冷关冀

在分论坛上，芯联集成产品研发高级经理冷关冀带来了题为“高效高功率密度车规级功率模块趋势“的主题演讲。冷关冀表示，目前，硅基材料的国产化率已达到90%左右，而碳化硅材料的国产化尚在提升中。芯联集成在碳化硅领域投入了大量努力，如今在技术、产能、市场方面已取得行业领先的竞争优势。

芯联集成车规级SiC MOSFET芯片快速迭代，最新G1.7代系MOSFET芯片性能已经达到国际领先水平，具有世界排名靠前的良率；同时，芯联集成的SiC MOSFET产能持续扩大，月出货量为等效6英寸产能大于5000片。

芯联集成碳化硅主要用于车载领域。自2023年量产平面SiC MOSFET以来，芯联集成90%的产品应用于新能源汽车主驱逆变器，是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的龙头企业。公司目前80%以上的碳化硅产能专供汽车主驱模块。

芯联集成致力于持续推动碳化硅整体成本优化，市场大规模渗透，并引领碳化硅技术的创新浪潮。

现阶段，碳化硅产能的供不应求，以及偏高的成本仍然阻碍着其进入大规模应用。因此，从6英寸转向8英寸碳化硅晶圆的生产已成为行业发展的必然趋势，这也是实现碳化硅产能优势及成本优化的最佳路径。芯联集成国内首条8英寸SiC MOSFET产线已开始投片，并实现了工程批下线，明年将进入量产阶段。

汽车等终端应用场景不断变化，这也要求碳化硅技术持续创新。随着800V甚至900V电压系统的出现，高电压系统对碳化硅材料的规格要求和模块耐压性能提出了更高的标准。

而从目前的趋势来看，碳化硅平面栅的性能已接近极限。因此，未来碳化硅将向沟槽型方向演进，并有望在5×5的面积下实现10毫欧以下的性能。目前，芯联集成正积极推动碳化硅器件类型从平面型转向沟槽型，预计在2025年推出沟槽栅MOSFET平台。

芯联集成还将功率封装与SiC MOSFET应用配合，开发出创新的高结温、低杂散紧凑型塑封全桥模块，以耐受更高的结温和抗湿气性能。

通过这些措施，芯联集成将不断推动碳化硅性能提升、成本优化，加速碳化硅进入更大规模的应用。业内预测，碳化硅的市场需求将逐年增长，预计到2030年将达到每年150万片。凭借在碳化硅技术、产能和市场方面的持续拓展，芯联集成2024年碳化硅业务营收预计达10亿元。随着市场需求的不断增长，芯联集成将在未来几年迎来更广阔的市场发展空间。

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