近日，日本丰田集团正在加速推进SiC的布局——新设立了一家SiC研发公司，剑指 8英寸SiC技术。

据悉，新公司的技术可极大提升碳化硅衬底良率，还可 省去晶片抛光环节，计划产能12000片，2025年将推出8英寸产品。

众所周知，丰田集团一直都在研发碳化硅衬底，并且实现了沟槽SiC MOSFET、模组等全产业链技术布局。最近，他们还在导入更多的碳化硅技术。

3月22日，丰田通商株式会社宣布，他们联合关西学院大学成立了一家 SiC 功率半导体晶圆研发公司——QureDA Research。该公司将专注以一种新的晶圆制造方法研发制造8英寸SiC晶圆，目标在2025年将该技术实现商业化。

据悉，QureDA Research注册资金为4.5亿日元（约2360万人民币），由丰田通商和关西学院各出资50%成立。此前在丰田通商任职的 Kyohei Segawa 先生将担任总裁，关西学院Kaneko 教授将兼任首席技术官 。

QureDA Research将推进一项“非接触式热工艺“技术商业化，并构建一个DA开发平台，让广泛的用户公司和制造商参与技术开发。

这项 SiC 晶圆表面纳米控制工艺技术名为“Dynamic AGE-ing”，由关西学院大学和丰田通商合作开发。

该技术通过将 SiC 衬底放置在专用反应容器中（不含反应性和有毒气体的气相环境），在 1600至 2000°C 之间的温度下进行退火。通过热刻蚀使 SiC 晶片的表面平坦化，该效果比用线切割或激光切割更高效、稳定。具体来说就是，在专用反应容器中将存在于SiC单晶基面上的位错转化为螺纹刃型位错，确保与SiC衬底相同的电学特性，以 减少晶体缺陷发生并防止质量变化。

此外，热蚀刻消除了 SiC 晶圆切片和研磨产生的残余加工应变，最终可以 省去化学机械抛光 (CMP) 环节。

这项非接触式热工艺可以生产高质量的 SiC 晶圆并减少外延片中的缺陷。关西学院大学和丰田通商已经构建了一个“DA平台”纳入该工艺，目前已收到 数十家公司的试用报价，正在进行产品演示。

此外，为了使Dynamic AGE-ing的效果可视化，该公司将开发将SiC晶圆加工过程中发生的晶体表面变形可视化的测量技术。

值得一提的是，该团队在2022年引进了一台 量产原型炉，可以验证使用DA平台生产各种SiC晶圆，包括8英寸晶圆，并设定了在量产原型炉中 年产12000片SiC晶圆的目标。预计在2023年期间将引进第二个大规模生产原型炉，以加速开发平台的验证。

未来，QureDA Research将与国内外公司合作开发DA平台，目标是在2025年实现8英寸SiC晶圆制造方法的商业化。